| β-Ga2 O 3单晶制备工艺的研究进展 |
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| 引用本文： | 陈博利,杨依帆,冷国琴,黄朝晖,孙峙,陶天一.β-Ga2 O 3单晶制备工艺的研究进展[J].功能材料,2021,52(1):70-77. |
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| 作者姓名： | 陈博利 杨依帆 冷国琴 黄朝晖 孙峙 陶天一 |
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| 作者单位： | 中国科学院过程工程研究所,北京 100190;中国地质大学 (北京)材料科学与工程学院,北京 100083;中国地质大学 (北京)材料科学与工程学院,北京 100083;中国科学院过程工程研究所,北京 100190 |
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| 基金项目： | 国家科技部重点专项资助项目;中国科学院过程工程研究所南京绿色制造产业创新研究院的重点研发资助项目 |
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| 摘 要： | β型氧化镓(β-Ga2O3)具有宽禁带、高击穿强度和低制造成本等优点,是制备第三代半导体的优质备选材料.制备β-Ga2 O 3材料的方法有直拉法、导模法、浮区法、布里奇曼法等.由于该材料在高温下易挥发,易产生较多杂质气体、晶体形状难以控制、单晶中产生较多缺陷等问题.对目前β-Ga2 O 3制备方法进行综述,对多种制备方...
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| 关 键 词： | β-Ga2O3 宽禁带半导体 单晶生长 制备工艺 |
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