| 多孔硅含能芯片的制备工艺和性能研究 |
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| 引用本文： | 王守旭,沈瑞琪,叶迎华. 多孔硅含能芯片的制备工艺和性能研究[J]. 含能材料, 2010, 18(5): 527-531. DOI: 10.3969/j.issn.1006-9941.2010.05.011 |
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| 作者姓名： | 王守旭 沈瑞琪 叶迎华 |
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| 作者单位： | 南京理工大学化工学院,江苏,南京,210094;南京理工大学化工学院,江苏,南京,210094;南京理工大学化工学院,江苏,南京,210094 |
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| 摘 要： | 采用电化学双槽腐蚀法在P型单晶硅片表面生长多孔硅膜。利用超声强化原位装药技术,在多孔硅膜中填充高氯酸铵或高氯酸钠制备多孔硅含能芯片。试验表明:采用电化学双槽腐蚀法可以制备厚度达90~100μm的不龟裂多孔硅厚膜;该多孔硅膜能够承受超声填充高氯酸铵和高氯酸钠等氧化剂时的冲击,得到多孔硅含能芯片。该多孔硅含能芯片在450~470℃的热作用下,可在开放空间发生猛烈爆炸。高氯酸铵比高氯酸钠更适合制备多孔硅含能芯片。
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| 关 键 词： | 应用化学 多孔硅 含能芯片 高氯酸铵 高氯酸钠 猛烈爆炸 |
| 收稿时间： | 2010-01-15 |
| 修稿时间： | 2010-06-26 |
Preparation and Properties of Porous Silicon Energetic Chips |
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| WANG Shou-xu,SHEN Rui-qi and YE Ying-hua. Preparation and Properties of Porous Silicon Energetic Chips[J]. Chinese Journal of Energetic Materials, 2010, 18(5): 527-531. DOI: 10.3969/j.issn.1006-9941.2010.05.011 |
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| Authors: | WANG Shou-xu SHEN Rui-qi YE Ying-hua |
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| Affiliation: | nanjing university of scicence and technology,nanjing university of science and technology,nanjing university of science and technology |
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