| 抗辐射低功耗流水线型8位100 MS/s ADC |
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| 引用本文： | 周晓丹,刘涛,付东兵,李强,刘杰,郭刚. 抗辐射低功耗流水线型8位100 MS/s ADC[J]. 微电子学, 2022, 52(2): 295-300 |
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| 作者姓名： | 周晓丹 刘涛 付东兵 李强 刘杰 郭刚 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 电子科学与工程学院, 成都 610054;重庆吉芯科技有限公司, 重庆401332;中国科学院兰州近代物理研究所, 兰州 730099;北京原子能研究院, 北京 102413 |
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| 基金项目： | 模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目(6142802010101) |
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| 摘 要： | 设计并实现了一种抗辐射低功耗流水线型8位ADC。对流水线型结构的分辨率影响进行分析,确定了最优的级间分辨率和流水线结构。采用多种电路的结构设计,降低了电路功耗。为达到抗辐射指标,对电路进行了抗辐射加固设计。测试结果表明,在3 V电源电压、100 MHz时钟输入频率、70.1 MHz模拟输入频率的条件下,该ADC的SFDR为59.6 dBc,稳态总剂量能力为 2 500 Gy(Si),单粒子闩锁阈值为75 MeV·cm2/mg,功耗为69 mW。该ADC采用0.35 μm CMOS工艺制作,面积为0.75 mm2。该ADC适用于空间环境的通信系统。
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| 关 键 词： | 模数转换器 流水线 低功耗 抗辐射 |
| 收稿时间： | 2021-09-02 |
A Radiation Hardened Low Power Pipelined 8 bit 100 MS/s ADC |
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| ZHOU Xiaodan,LIU Tao,FU Dongbing,LI Qiang,LIU Jie,GUO Gang. A Radiation Hardened Low Power Pipelined 8 bit 100 MS/s ADC[J]. Microelectronics, 2022, 52(2): 295-300 |
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| Authors: | ZHOU Xiaodan LIU Tao FU Dongbing LI Qiang LIU Jie GUO Gang |
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| Affiliation: | School of Electronic Science and Engineering, UESTC, Chengdu 610054, P.R.China;Chongqing GigaChip Technology Co., Ltd., Chongqing 401332, P.R.China;Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730099, P.R.China; China Institute of Atomic Energy, Beijing 102413, P.R.China |
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| Abstract: | |
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