| Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构 |
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| 作者姓名： | 李翠云 朱华 莫春兰 江风益 |
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| 作者单位： | 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047, 景德镇陶瓷学院,景德镇 333001;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047, 景德镇陶瓷学院,景德镇 333001;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 用透射电子显微镜(TEM)和X射线双晶衍射仪(DCXRD)对在Si(111)衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)LED外延材料的微结构进行了观察和分析.从TEM高分辨像观察到,在Si和AlN界面处未形成SixNy非晶层,在GaN/AlN界面附近的GaN上有堆垛层错存在,多量子阱的阱(InGaN)和垒(GaN)界面明锐、厚度均匀;TEM和DCXRD进一步分析表明MQW附近n型GaN的位错密度为10acm-2量级,其中多数为b=1/3〈112-0〉的刃位错.
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| 关 键 词： | GaN Si衬底 LED 位错 TEM DCXRD InGaN 多量子阱 外延材料 微结构 Microstructure Multiple Quantum Well 刃位错 位错密度 分析表 均匀 厚度 存在 堆垛层错 界面附近 非晶层 高分辨像 生长 DCXRD 衍射仪 双晶 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)11-1950-05 |
| 收稿时间： | 2006-03-28 |
| 修稿时间： | 2006-05-28 |
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