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| 制备GaP的新方法 | |
| 作者姓名： | 周敏 |
| 摘 要： | 一、简况: 作为发光材料包括诸如GaAs,GaPGaAlAs,GaAsP,InGaP合金等Ⅲ—Ⅴ半导体化合物,以及在GaAs上涂布萤光如YoCl、Y_b、E_r、T_m等材料。除此之外,还有Ⅳ族半导体SiC,Ⅱ—Ⅵ族半导体ZnSZnSe、CdTe、新制材料GaN等。其中, |
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