| 用于室温红外探测器热敏材料的PECVD掺硼a-Si薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 岳瑞峰,董良,刘理天.用于室温红外探测器热敏材料的PECVD掺硼a-Si薄膜的研究[J].真空科学与技术学报,2006,26(4):277-281. |
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| 作者姓名： | 岳瑞峰 董良 刘理天 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 摘 要： | 采用PECVD法制备用于室温红外探测器中热敏感材料的掺硼a-Si薄膜。通过系统地研究气体流量、射频功率与衬底温度等制备工艺条件与薄膜的电导率、含氢量和电阻温度特性的相关性,得到了最佳的工艺条件,并利用其制备出了探测灵敏度高达2.17×108cmHz1/2W-1的a-Si室温红外探测器。
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| 关 键 词： | a-Si薄膜 室温红外探测器 热敏材料 硼掺杂 电阻温度系数 |
| 文章编号： | 1672-7126（2006）04-0277-05 |
| 收稿时间： | 2005-11-03 |
| 修稿时间： | 2005年11月3日 |
Study on B-doped a-Si Film Deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition as Thermal Sensitive Material for Uncooled Infrared Detector |
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| Yue Ruifeng,Dong Liang,Liu Litian.Study on B-doped a-Si Film Deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition as Thermal Sensitive Material for Uncooled Infrared Detector[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2006,26(4):277-281. |
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| Authors: | Yue Ruifeng Dong Liang Liu Litian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PECVD |
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