| 双施主掺杂BaTiO3半导体陶瓷材料的研究 |
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| 引用本文： | 姜胜林,龚树萍,周莉,周东祥.双施主掺杂BaTiO3半导体陶瓷材料的研究[J].压电与声光,2000,22(6):392-393,397. |
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| 作者姓名： | 姜胜林 龚树萍 周莉 周东祥 |
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| 作者单位： | 华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 国家“八六三”计划资助项目!(715 -0 0 6 -0 0 70 ) |
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| 摘 要： | 以 Sb2 O3单施主和 Y2 O3 Nb2 O5 双施主作为半导化元素 ,对低阻 Ba Ti O3半导体陶瓷的 PTCR特性进行了研究 ,通过不同的掺杂方式及工艺得到了低电阻率 PTC陶瓷材料 ,室温电阻率ρ2 5 =4· 49Ω· cm ,温度系数 αT=6 .0 4× 10 - 2 °C- 1 ,升阻比 β=1.0× 10 3,对低阻 PTC材料进行了探讨。
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| 关 键 词： | 双施主 掺杂方式 半导体陶瓷 钛酸钡 热敏电阻 |
Research on Semiconductor Ceramic Materials:Double Donor Doping BaTiO3 |
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| JIANG Sheng-lin,GONG Shu-ping,ZHOU Li,ZHOU Dong-xiang.Research on Semiconductor Ceramic Materials:Double Donor Doping BaTiO3[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2000,22(6):392-393,397. |
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| Authors: | JIANG Sheng-lin GONG Shu-ping ZHOU Li ZHOU Dong-xiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | double donor doping low resistance PTC material doping method |
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