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YMnO_3薄膜的铁电性能及其应用
引用本文:卢德新,叶雪军,刘卫忠,徐则川. YMnO_3薄膜的铁电性能及其应用[J]. 压电与声光, 2000, 0(3)
作者姓名:卢德新  叶雪军  刘卫忠  徐则川
作者单位:华中理工大学电子科学与技术系!武汉430074(卢德新,刘卫忠,徐则川),湖北商业高等专科学校电子系!武汉430074(叶雪军)
基金项目:华中理工大学青年基金资助项目
摘    要:对金属 -铁电体 -半导体场效应晶体管器件而言 ,具有六方晶系结构的稀土锰酸盐 ( Re Mn O3)是性能优良的薄膜材料 ,它们的介电常数低 ,仅仅只有单一的极化轴 ,没有挥发性的元素 Pb、Bi等。本文作者对 Re Mn O3材料的结构特征、制备方法及其铁电性能等进行了介绍 ,并指出存在的困难及其发展方向。

关 键 词:稀土锰酸盐薄膜  非挥发性存储器  金属-铁电体-半导体场效应晶体管  制备方法  铁电薄膜性能

Ferroelectric Properties and Applications of YMnO_3 Thin Films
LU De xin ,YE Xue jun ,LIU Wei zhong ,XU Ze chuan. Ferroelectric Properties and Applications of YMnO_3 Thin Films[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2000, 0(3)
Authors:LU De xin   YE Xue jun   LIU Wei zhong   XU Ze chuan
Affiliation:LU De xin 1,YE Xue jun 2,LIU Wei zhong 1,XU Ze chuan 1
Abstract:For MFS(metal ferroelectric semiconductor)transistor devices,the hexagonal Re MnO 3( Re :rare earth elements)thin films are believed to be an excellent materials,because they have only one polarization axis,do not contain volatile elements such as Bi and Pb and have low dielectric permittivity.This paper reviews structural characteristics of the Re MnO 3 materials, Re MnO 3 thin films deposition and its ferroelectric characteristics.The current difficultes and developing trend in this field are also introduced.
Keywords:Re-MnO_3 thin film  nonvolatile ferroelectric memory  metal-ferroelectric-semiconductor(MFS)  thin film deposition  ferroelectric thin film characteristic
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