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| p-n异质结BiVO4/g-C3N4光阳极的制备及其光电化学水解性能 | |
| 作者姓名： | 王如意 徐国良 杨蕾 邓崇海 储德林 张苗 孙兆奇 |
| 作者单位： | 1.合肥学院 能源材料与化工学院, 合肥 230601 2.合肥学院 先进电池材料与技术重点实验室, 合肥 230601 3.长鑫存储技术有限公司, 合肥 230000 4.安徽大学 物质科学与信息技术研究院, 合肥 230039 5.安徽大学 材料科学与工程学院, 合肥 230039 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61804039);安徽省高校自然科学研究项目(KJ2021A1017);合肥学院人才科研项目(20RC35);安徽省高校协同创新项目(GXXT-2021-013);合肥学院研究生教育教学研究项目(2021Yjyxm01);安徽省高校学科(专业)拔尖人才学术资助项目(gxbjZD2021085);安徽省重点研究与开发计划(201904b11020040) |
| 摘 要： | 钒酸铋(BVO)可用于光电化学(PEC)水解产氢,但受限于其缓慢的表面水氧化动力学,在电极表面修饰单一的析氧助催化剂达不到理想的性能。本工作在BVO电极表面修饰FeNiOx助催化剂可以显著降低起始电压,增强光电化学性能。此外,沉积g-C3N4后修饰FeNiOx助催化剂得到的光电极具有更优异的性能。厚度适合的g-C3N4纳米片与BVO构成Ⅱ型p-n异质结,有效抑制了光生电子空穴的复合,促进了电极的电荷分离。电化学测试结果表明,沉积了g-C3N4后,电极的电荷分离效率达到88.2%,比BVO/FeNiOx (60.6%)提升了近1.5倍。经过g-C3N4和FeNiOx协同修饰的BVO/g-C3N4/Fe Ni Ox电极,表面电荷注入效率达到了90.2%,同时,在1.... |
| 关 键 词： | g-C3N4纳米片 BiVO4 光电化学水解 FeNiOx助催化剂 p-n异质结 |
| 收稿时间： | 2022-07-28 |
| 修稿时间： | 2022-09-25 |
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