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Al掺杂对SiC粉体微波介电性能的影响
引用本文:李智敏,周万城,苏晓磊,罗发,黄云霞.Al掺杂对SiC粉体微波介电性能的影响[J].功能材料,2010,41(Z2).
作者姓名:李智敏  周万城  苏晓磊  罗发  黄云霞
作者单位:1. 西安电子科技大学,技术物理学院,陕西,西安,710071
2. 西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072
3. 西安工程大学,机电工程学院,陕西,西安,710048
基金项目:陕西省自然科学基础研究计划资助项目,中央高校基本科研业务费专项资金资助项目 
摘    要:采用高温固相反应法,以Al粉和SiC粉为原料合成Al掺杂SiC粉体。通过X射线衍射分析和拉曼光谱对合成粉体进行了表征。结果表明,当反应温度高于1900℃时,合成产物中未出现Al的杂质相。在2000℃时,相对较多的Al原子进入到SiC晶格形成Al-SiC固溶体。在8.2~12.4GHz频率范围,采用波导法对未掺杂和掺杂SiC粉体的介电常数进行了测试。结果表明,Al原子掺杂形成Al-SiC固溶体,可以有效地提高SiC粉体的微波介电性能。

关 键 词:SiC粉体  Al掺杂  固相反应  介电性能

Effect of aluminium doping on microwave dielectric properties of SiC powder
LI Zhi-min,ZHOU Wan-cheng,SU Xiao-lei,LUO Fa,HUANG Yun-xia.Effect of aluminium doping on microwave dielectric properties of SiC powder[J].Journal of Functional Materials,2010,41(Z2).
Authors:LI Zhi-min  ZHOU Wan-cheng  SU Xiao-lei  LUO Fa  HUANG Yun-xia
Abstract:
Keywords:
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