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| MPCVD合成β—C3N4晶态薄膜 | |
| 引用本文： | 时东霞,顾有松.MPCVD合成β—C3N4晶态薄膜[J].真空,1999(1):18-22. |
| 作者姓名： | 时东霞 顾有松 |
| 作者单位： | [1]中科院物理所凝聚态物理中心北京真空物理实验室 [2]北京科技大学材料物理系 |
| 摘 要： | 采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ），以Ｎ２，ＣＨ４作为反应气体合成碳氢膜。通过控制反应温度，气体流量，微波功率，反应气压等工艺条件在Ｓｉ和Ｐｔ基片上，进行β－Ｃ３Ｎ４晶态薄膜的合成研究。扫描电镜下观察到生长在Ｓｉ基底上的薄膜晶有六角晶棒的密排结构。扫描隧道显微镜下观察到在Ｐｇ基底上生长的碳氮薄膜由针状晶粒组成。 |
| 关 键 词： | MPCVD β－C3N4 碳氢薄膜 晶态 薄膜合成 |
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