硅大功率晶体管的微等离子击穿

本文研究了对硅功率器件合格率和可靠性影响最严重的微等离子击穿现象。利用电学测试,化学腐蚀、扫描电镜和离子微探针等方法分析了功率器件中微离子体的电学特性和结构。实验结果表明,微等离子击穿是发生在光刻缺陷、机械划伤和结晶缺陷等处;而绝大多数是发生在杂质集中的近表面缺陷处。文中进一步探讨了微等离子击穿及其发光的机理,并为寻求提高器件合格率提供依据。