砷化镓场效应晶体管的设计和制作

已经研制出最高振荡频率超过12千兆赫的砷化镓场效应晶体管。本文阐述了 GaAs 场效应晶体管的设计和制作,并证明在沟道中强场效应对器件特性的重要影响。同时还报道了10千兆赫的散射参数测量数据及在2千兆赫的噪声参数。