Au掺杂花状In_2O_3微结构的制备及其气敏特性研究

采用水热法制备了不同浓度(0%,1%,3%和5%(摩尔分数))Au掺杂的花状In_2O_3微结构。利用X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱分析仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合成的In_2O_3的晶相、成分和微观形貌进行表征与分析。分析结果表明,制备的花状微结构的平均粒径约4μm,花状纳米片的厚度约为25nm。同时,对制备的Au掺杂In_2O_3气体传感器的气敏特性进行了研究,实验结果表明,在最佳工作温度(250℃)条件下,3%(摩尔分数)Au掺杂In_2O_3气体传感器对100×10-6丙酮气体的灵敏度达到23.1,响应时间和恢复时间分别为10和13s。最后对Au掺杂In_2O_3的气敏机理进行了分析。