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| Si基Ge0.85Si0.15异质光电二极管 | |
| 引用本文： | 江若琏,罗志云.Si基Ge0.85Si0.15异质光电二极管[J].半导体光电,2000,21(1):27-29. |
| 作者姓名： | 江若琏 罗志云 |
| 作者单位： | 南京大学物理系!南京210093(江若琏，罗志云，陈卫民，臧岚，朱顺明，徐宏勃刘夏冰，程雪梅，陈志忠，韩平)，南京大学物理系!南京21(郑有炓) |
| 摘 要： | 采用低温生长缓冲层，高温生长ＧｅＳｉ外延层的方法在ｎ型Ｓｉ衬底上外延生长（ｉ）Ｇｅ０．８５Ｓｉ０．１５－（ｐ）Ｓｉ层，以此材料作为吸收区制备成ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结ｐｉｎ台面光电二极管。其波长范围为０．７－１．５５μｍ，峰值波长位于１．０６μｍ，暗电流密度低达０．０３３μＡ／ｍｍ＾２（－２Ｖ），在１．０６μｍ和１．３μｍ处的响应度分别为１．８Ａ／Ｗ（－２Ｖ）和０．０６６Ａ／Ｗ（－Ｖ）。 |
| 关 键 词： | 光电二极管 异质结 硅基 硅化鳍 |
| 文章编号： | 1001-5868(2000)01-0027-03 |
| 修稿时间： | 1999-04-26 |
Si-based Ge_(0.85)Si_(0.15) Heterojunction Photodiodes |
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| JIANG Ruo lian,LUO Zhi yun,CHEN Wei ming,ZANG Lan,ZHU Shun ming,XU Hong bo LIU Xia bing,CHEN Xue mei,CHEN Zhi zhong,HAN Ping,ZHENG You dou.Si-based Ge_(0.85)Si_(0.15) Heterojunction Photodiodes[J].Semiconductor Optoelectronics,2000,21(1):27-29. | |
| Authors: | JIANG Ruo lian LUO Zhi yun CHEN Wei ming ZANG Lan ZHU Shun ming XU Hong bo LIU Xia bing CHEN Xue mei CHEN Zhi zhong HAN Ping ZHENG You dou |
| Abstract: | |
| Keywords: | photodiodes GeSi/Si heterojunction responsivity |
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