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| 1．3μmInGaAsP／InPLD，SLD和LED的介质镀膜 | |
| 引用本文： | 罗江财,朱志文,王剑格,唐祖荣.1．3μmInGaAsP／InPLD，SLD和LED的介质镀膜[J].半导体光电,1995(2). |
| 作者姓名： | 罗江财 朱志文 王剑格 唐祖荣 |
| 作者单位： | 重庆光电技术研究所 |
| 摘 要： | 简要叙述了介质镀膜对半导体激光器性能的影响。在１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器（ＬＤ）、超辐射发光二极管（ＳＬＤ）和发光二极管（ＬＥＤ）上进行了大量的Ａｌ２Ｏ３和ＺｒＯ２减反射膜的工艺研究。结果表明，该减反射膜使激光器阈值电流增加，并将部分激光器变成了超辐射发光二极管。减反射膜还显著地改进超辐射发光二极管的性能，增加其输出功率。它也能导致发光二极管的输出功率的有效增加。 |
| 关 键 词： | 半导体激光器，发光二极管，减反射膜，真空淀积 |
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