| 热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度 |
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| 引用本文： | 陈媛媛,夏金松,樊中朝,余金中.热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度[J].半导体学报,2004,25(11):1544-1548. |
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| 作者姓名： | 陈媛媛 夏金松 樊中朝 余金中 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 提出了一种热氧化的方法来改善干法刻蚀硅波导的表面质量.通过Suprem二维工艺模拟程序对氧化过程的物理模型进行了分析.用实验证实了该方法的可行性并与模拟结果进行了比较.实验中将硅波导的表面粗糙度由65.4nm降低到了8.8nm.另外讨论了分次氧化方法的利弊
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| 关 键 词： | 热氧化 光波导 表面粗糙度 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)11-1544-05 |
| 修稿时间： | 2003年10月28日 |
Method of Thermal Oxidation for Minimizing Surface Roughness of Dry Etched Silicon Waveguide |
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| Chen Yuanyuan,Xia Jinsong,Fan Zhongchao and Yu Jinzhong.Method of Thermal Oxidation for Minimizing Surface Roughness of Dry Etched Silicon Waveguide[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(11):1544-1548. |
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| Authors: | Chen Yuanyuan Xia Jinsong Fan Zhongchao and Yu Jinzhong |
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| Abstract: | Presented is a method of thermal oxidation for minimizing surface roughness of silicon waveguide by dry etching processes.The model of oxidation is analyzed by SUPREM two-dimensional simulation.Experimental result is compared with simulation result and the method is validated.Surface roughness of silicon waveguide is reduced from 65.4nm to 8.8nm in the experiment.Oxidation by several times is discussed. |
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| Keywords: | thermal oxidation optical waveguide surface roughness |
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