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| 0.5μm GaAs PHEMT数字衰减器设计 | |
| 引用本文： | 刘会东, 张海英, 孙肖磊, 陈普峰,.0.5μm GaAs PHEMT数字衰减器设计[J].电子器件,2008,31(6). |
| 作者姓名： | 刘会东 张海英 孙肖磊 陈普峰 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
| 摘 要： | 采用0.5μm GRAs PHEMT工艺设计了两款工作于1～4 GHz的数字衰减器.一款为选择式衰减器,衰减量0.5 dB和15dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.7;另外一款为3 bit数字衰减器.衰减步进0.8 dB.最大衰减量5.6 dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.8,相对于参考态,衰减态的插入相移在-3°～2°之间. |
| 关 键 词： | 微波单片集成电路 宽带 数字衰减器 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 |
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