| 弛豫SiGe外延层的UHV/CVD生长 |
| |
| 引用本文： | 罗广礼,林小峰,刘志农,陈培毅,林惠旺,钱佩信,刘安生. 弛豫SiGe外延层的UHV/CVD生长[J]. 半导体学报, 2000, 21(7): 682-685 |
| |
| 作者姓名： | 罗广礼 林小峰 刘志农 陈培毅 林惠旺 钱佩信 刘安生 |
| |
| 作者单位： | 清华大学微电子研究所!北京100084(罗广礼，林小峰，刘志农，陈培毅，林惠旺，钱佩信)，北京有色金属研究总院!北京100088(刘安生) |
| |
| 摘 要： | 利用自制的冷壁石英腔UHV/CVD设备,600℃条件下,通过Ge组分渐变缓冲层技术,在Si(100)衬底上成功地生长出完全弛豫、无穿透位错的Si0.83Ge0.17外延层,并在其上获得了具有张应变的Si盖帽层.另外,还在550℃下生长了同样结构的样品,发现此样品厚度明显变薄,组分渐变层的应变释放不完全,位错网稀疏而且不均匀,其上的Si0.83Ge0.17外延层具有明显的穿透位错
|
| 关 键 词： | 外延层 UHV/CVD SiGe |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)07-0682-04 |
| 修稿时间： | 1999-05-05 |
Growth of Fully Relaxed Si0. 83Ge0. 17 Layer Free of Dislocations by UHV/CVD System |
| |
| LUO Guang|li,LIN Xiao|feng,LIU Zhi|nong,CHEN Pei|yi,LIN Hui|wang and Tsien Pei Hsin. Growth of Fully Relaxed Si0. 83Ge0. 17 Layer Free of Dislocations by UHV/CVD System[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 682-685 |
| |
| Authors: | LUO Guang|li LIN Xiao|feng LIU Zhi|nong CHEN Pei|yi LIN Hui|wang Tsien Pei Hsin |
| |
| Affiliation: | LUO Guang-li,LIN Xiao-feng,LIU Zhi-nong,CHEN Pei-yi,LIN Hui-wang,Tsien Pei Hsin(Institute of Microelectronics, Tsinghua Uniuersity, Beijing 100084, China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | epitaxial layer UHV/CVD SiGe |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
