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| 退火对低温射频磁控溅射Ba铁氧体薄膜结构及磁特性的影响 | |
| 作者姓名： | 刘兴阶 刘卫忠 林更琪 缪向水 李佐宜 |
| 作者单位： | 华中理工大学固体电子学系!武汉430074 |
| 摘 要： | 用RF磁控溅射法，在纯Ar气中，硅基片不加热的情况下，制备了Ba铁氧体薄膜，研究了退火温度对薄膜c轴垂直取向、结构及磁特性的影响，结果表明薄膜在700℃氧气中退火可获得良好c轴垂直膜面的择优取向，该薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别为Ms=296emu／cm3，Hc=308761A／m。退火温度过低或过高，都不利于形成c轴垂直膜面的择优取向。 |
| 关 键 词： | Ba铁氧体薄膜 射频磁控溅射 退火 |
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