包含热模型的大功率MOSFET新型电路模型

功率转换器的功率密度越来越高，发热问题越来越严重，这种功率转换器的设计对现代大功率半导体技术提出了新的挑战；因而，热问题的优化设计和核实变得比大功率器件的电模型更加重要，本文提出一种新的PSPICE模型，可以利用它计算MOSFET芯片在瞬变过程中的温度。其中的热阻可以从制造商提供的产品使用说明书得到。本文介绍的模型提供发热和电气参数之间的动态关系。它建立了与许可的热环境的关系，例如，栅极驱动电路、负载、以及散热器的分析与优化设计。利用这个模型可以改善散热器的设计。由于决定功率损耗的参数是分布在一定范围内，受生产制造的影响很大，因而散热器的设计往往由于无法预先知道功率损耗而无法进行。