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用共蒸发法制备AlSb多晶薄膜
引用本文:姚菲菲,雷智,冯良桓,张静全,李卫,武莉莉,蔡伟,蔡亚平,郑家贵,黎兵.用共蒸发法制备AlSb多晶薄膜[J].半导体学报,2006,27(9):1578-1581.
作者姓名:姚菲菲  雷智  冯良桓  张静全  李卫  武莉莉  蔡伟  蔡亚平  郑家贵  黎兵
作者单位:四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:采用元素共蒸发法结合退火处理制成了AlSb多晶薄膜.利用x射线衍射、透射光谱、暗电导温度关系等方法研究了薄膜的结构、光学和电学性质.发现540℃退火后得到的AlSb多晶薄膜呈立方相结构,间接跃迁光能隙为1.62eV,电导激活能约为0.33eV.研究结果表明,AlSb薄膜有可能成为新型太阳电池的重要材料.

关 键 词:AlSb  退火  多晶薄膜
文章编号:0253-4177(2006)09-1578-04
收稿时间:12 7 2005 12:00AM
修稿时间:04 28 2006 12:00AM

Preparation of AlSb Polycrystalline Thin Films by Co-Evaporation
Yao Feifei,Lei Zhi,Feng Lianghuan,Zhang Jingquan,Li Wei,Wu Lili,Cai Wei,Cai Yaping,Zheng Jiagui,and Li Bing.Preparation of AlSb Polycrystalline Thin Films by Co-Evaporation[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(9):1578-1581.
Authors:Yao Feifei  Lei Zhi  Feng Lianghuan  Zhang Jingquan  Li Wei  Wu Lili  Cai Wei  Cai Yaping  Zheng Jiagui  and Li Bing
Affiliation:Department of Materials Science,Sichuan University,Chengdu 610064,China;Department of Materials Science,Sichuan University,Chengdu 610064,China;Department of Materials Science,Sichuan University,Chengdu 610064,China;Department of Materials Science,Sichuan University,Chengdu 610064,China;Department of Materials Science,Sichuan University,Chengdu 610064,China;Department of Materials Science,Sichuan University,Chengdu 610064,China;Department of Materials Science,Sichuan University,Chengdu 610064,China;Department of Materials Science,Sichuan University,Chengdu 610064,China;Department of Materials Science,Sichuan University,Chengdu 610064,China;Department of Materials Science,Sichuan University,Chengdu 610064,China
Abstract:
Keywords:AlSb  anneal  polycrystalline thin films
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