| 掺HCl栅氧化对MOS结构电特性的影响 |
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| 引用本文： | 严荣良,张国强,任迪远,赵元富.掺HCl栅氧化对MOS结构电特性的影响[J].微电子学与计算机,1994(1). |
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| 作者姓名： | 严荣良 张国强 任迪远 赵元富 |
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| 作者单位： | 中科院新疆物理所，西安微电子技术研究所 |
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| 摘 要： | 研究了栅氧化时掺ＨＣｌ的硅栅ＭＯＳＦＥＴ的ＤＤＳ－ＶＧＳ特性、阈电压和界面态．结果发现，ＨＣｌ掺入栅介质，可使ＩＤＳ－ＶＧＳ曲线正向漂移，ＰＭＯＳＦＥＴ阈电压绝对值减小，ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压增大，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度下降。采用氯的负电中心和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。
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| 关 键 词： | 阈电压，界面态，MOSFET |
Effects of Gate Oxidation Containing HCl on the Electrical Characteristics of MOS Structures |
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| Yan Rongliang, Zhang Guoqiang, Ren Diyuan.Effects of Gate Oxidation Containing HCl on the Electrical Characteristics of MOS Structures[J].Microelectronics & Computer,1994(1). |
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| Authors: | Yan Rongliang Zhang Guoqiang Ren Diyuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Interface states Threshold voltage MOSFET |
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