| Bi(GaxFe1-x)O3-PbTiO3高温压电陶瓷的结构和介电性能 |
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| 引用本文： | 冯磊洋,王大磊,石贵阳,金灯仁,程晋荣.Bi(GaxFe1-x)O3-PbTiO3高温压电陶瓷的结构和介电性能[J].压电与声光,2013,35(4):588-591. |
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| 作者姓名： | 冯磊洋 王大磊 石贵阳 金灯仁 程晋荣 |
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| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50872080) |
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| 摘 要： | 采用传统固相反应法制备了0.4Bi(GaxFe1-x)O3-0.6PbTiOa (BGF-PT) (x=0.05,0.25,0.40,质量分数)陶瓷.BGF-PT呈四方相钙钛矿结构,四方畸变度c/a比约为1.09.当x(Ga) =25％时,BGF-PT陶瓷的晶粒分布均匀,Fe元素在局部区域无明显富集,该组分陶瓷在室温下具有最优的介电性能,居里温度为572℃.BGF-PT陶瓷在较低温度和高温下的载流子分别为电子和氧空位.Ga元素的引入抑制了电子电导和氧空位离子电导,降低了BGF-PT陶瓷的交流电导率.
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| 关 键 词： | 0.4Bi(GaxFe1-x)O3-0.6PbTiO3(BGF-PT)压电陶瓷 EDS面扫描 阻抗谱 交流电导率 |
Structure and Dielectric Properties of Ga modified Bi(GaxFe1-x)O3-PbTiO3 High Temperature Piezoelectric Ceramics |
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| FENG Leiyang,WANG Dalei,SHI Guiyang,JIN Dengren and CHENG Jinrong.Structure and Dielectric Properties of Ga modified Bi(GaxFe1-x)O3-PbTiO3 High Temperature Piezoelectric Ceramics[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2013,35(4):588-591. |
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| Authors: | FENG Leiyang WANG Dalei SHI Guiyang JIN Dengren and CHENG Jinrong |
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| Affiliation: | (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200072, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BGF PT piezoelectric ceramic EDS mapping impedance spectroscopy AC conductivity |
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