| MgO掺杂对ZnO基线性电阻陶瓷性能的影响 |
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| 引用本文： | 何日青,杨传仁,陈宏伟,张继华,赵强.MgO掺杂对ZnO基线性电阻陶瓷性能的影响[J].压电与声光,2013,35(4):592-594. |
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| 作者姓名： | 何日青 杨传仁 陈宏伟 张继华 赵强 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054 |
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| 摘 要： | 以ZnO为基添加Al2O3和MgO制备了导电陶瓷；研究了MgO掺杂含量对ZnO陶瓷电阻率、电阻温度系数和相对密度的影响;测试分析了ZnO导电陶瓷在室温小电流时的伏安特性.结果表明,ZnO-Al2O3-MgO系陶瓷具有线性的伏-安(V-I)特性;添加MgO能增大电阻率且可改善电阻温度系数,当x(MgO) =5％时,小电流电阻率为178 Ω·cm,电阻温度系数为－1.5×10-3/℃;适量的MgO含量有利于烧结致密化.
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| 关 键 词： | 线性电阻陶瓷 电阻率 电阻温度系数 伏-安(V-I)特性 |
Influence of MgO Doping on the Characteristics of ZnO based Linear Resistance Ceramics |
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| HE Riqing,YANG Chuanren,CHEN Hongwei,ZHANG Jihua and ZHAO Qiang.Influence of MgO Doping on the Characteristics of ZnO based Linear Resistance Ceramics[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2013,35(4):592-594. |
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| Authors: | HE Riqing YANG Chuanren CHEN Hongwei ZHANG Jihua and ZHAO Qiang |
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| Affiliation: | (State Key Lab.of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | linear resistor ceramics resistivity resistance temperature coefficient V-I characteristic |
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