| 快速热退火在硅中引入的缺陷的研究 |
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| 引用本文： | 陆昉,陆峰,孙恒慧,邬建根. 快速热退火在硅中引入的缺陷的研究[J]. 半导体学报, 1990, 11(1): 48-54 |
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| 作者姓名： | 陆昉 陆峰 孙恒慧 邬建根 |
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| 作者单位： | 复旦大学物理系，复旦大学物理系，复旦大学物理系，复旦大学物理系 上海，上海 四年级大学生，上海，上海 |
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| 摘 要： | 快速热退火(RTA)将在n型硅中引入深能级缺陷。缺陷的种类和浓度随退火温度的变化而变化。由于这些缺陷的存在,使少数载流子寿命显著降低。这些缺陷可以分成两类。一类是与被冻结在晶格缺陷上的金属杂质有关,经二步退火后,这些缺陷能在650℃附近退火消失。另一类是晶格的本征缺陷,二步退火并不能消除这类缺陷。研究表明,这类缺陷与位错有关。
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| 关 键 词： | 硅 热退火 缺陷 深能级 载流子寿命 |
Investigation of Defects in Silicon Introduced by Rapid Thermal Annealing |
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| LU Fang/Physics Department,Fudan University,ShanghaiLU Feng/Physics Department,Fudan University,ShanghaiSUN Henghui/Physics Department,Fudan University,ShanghaiWU Jiangen/Physics Department,Fudan University,Shanghai. Investigation of Defects in Silicon Introduced by Rapid Thermal Annealing[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1990, 11(1): 48-54 |
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| Authors: | LU Fang/Physics Department Fudan University ShanghaiLU Feng/Physics Department Fudan University ShanghaiSUN Henghui/Physics Department Fudan University ShanghaiWU Jiangen/Physics Department Fudan University Shanghai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Deep level defect Rapid thermal annealing Minority carrier lifetime Deep level transient spectroscopy Dislocation |
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