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SiC单晶片切割力的广义预测控制
作者姓名:梁列  李淑娟  王嘉宾  麻磊
作者单位:西安理工大学机械与精密仪器工程学院,陕西西安,710048;西安理工大学机械与精密仪器工程学院,陕西西安,710048;西安理工大学机械与精密仪器工程学院,陕西西安,710048;西安理工大学机械与精密仪器工程学院,陕西西安,710048
基金项目:国家自然科学基金;国家自然科学基金
摘    要:Si C单晶因优良的物理和力学性能而大量用于大功率器件和IC行业,但由于材料的高硬度和高脆性,使其加工过程变得困难。基于进给量与切割力的差分方程,设计广义预测控制器控制切割力。结果表明:所设计控制器能够很好地跟踪不同信号,具有良好的鲁棒性;相比与普通的切割过程,能够提高加工效率,并获得较好的加工表面。

关 键 词:广义预测控制  切割力  加工效率  表面质量  SiC单晶片
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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