用计算机模拟技术研究潜影形成的机理

用Monte Carlo计算机模拟技术研究了溴化银立方晶体中潜影形成的机理。根据潜影研究的一些重要实验结果,在设计模拟模型时作了以下基本假定:(1)光照产生的电子在离子步骤发生之前,很快就达到导带与浅陷阱两种状态的平衡,这里除了表面结点位和晶格位错位之外,填隙银离子也能起浅电子陷阱的作用;(2)Ag、Ag_2和Ag_3的形成(成核过程)为低效过程,而Ag_4~+形成后的成长为高效过程;(3)光照产生的正空穴要经历“V”中心,溴原子和溴分子的演变过程,此时可能发生复合反应和回归反应。 模拟参数的估计是基于一些物理测量,如微波光导和介电损耗等的测量结果。模拟结果定量地展示了潜影形成过程中各种反应物,中间物和生成物的产生和变化,并与宏观的实验结果,如感光响应曲线和互易律失效曲线等,相当一致。