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| SnO_2气敏半导体材料 | |
| 引用本文： | 何琳,陈祖耀,沈瑜生.SnO_2气敏半导体材料[J].硅酸盐通报,1985(5). |
| 作者姓名： | 何琳 陈祖耀 沈瑜生 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学应用化学系，中国科学技术大学应用化学系，中国科学技术大学应用化学系 |
| 摘 要： | 引言纯的SnO_2是一个禁带宽度较大的n型半导体材料,其禁带宽度为3.7eV。由于它内部存在着点缺陷,这些点缺陷具有施主或受主的作用,而使它具有导电性。 SnO_2晶体属于四方晶系,具有金红石结构,其空间群为D_(4h)~(14)P42/mnm],单位晶胞含有6个原子,2个Sn原子,4个O原子,如图1所示:每个Sn原子都位于正八面体顶角的氧原子的中心;而每个O原子也都被等边三角形顶角的三个锡原子所包围。例如:它以6:3配比,由Baur所测的晶格参数是a=b=4.737A,C=3.185A,c/a之比 |
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