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一种CMOS动态闩锁电压比较器的优化设计
引用本文:李建中,魏同立. 一种CMOS动态闩锁电压比较器的优化设计[J]. 电路与系统学报, 2005, 10(2): 48-52
作者姓名:李建中  魏同立
作者单位:1. 东南大学,微电子中心,江苏,南京,210096;解放军理工大学,通信工程学院,江苏,南京,210007
2. 东南大学,微电子中心,江苏,南京,210096
摘    要:提出了一种应用于Pipeline ADC和Sigma-Delta ADC中改进的动态闩锁电压比较器。采用0.35μm CMOS N阱工艺设计,工作于2.5V单电源电压。通过详细的分析和优化,使比较器具有较小的输入失调电压和踢回噪声,仿真结果表明它的输入失调电压分布范围为28.6mV,最高工作频率200MHz、功耗230μW。

关 键 词:比较器  模数转换器  正反馈  失调
文章编号:1007-0249(2005)02-0048-05
修稿时间:2004-09-17

An optimization design of CMOS dynamic latched voltage comparator
LI Jian-zhong,WEI Tong-li. An optimization design of CMOS dynamic latched voltage comparator[J]. Journal of Circuits and Systems, 2005, 10(2): 48-52
Authors:LI Jian-zhong  WEI Tong-li
Abstract:
Keywords:comparator  analog-to-digital converter  positive feedback  offset  
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