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| 碲镉汞表面纯化膜界面电学特性研究 | |
| 引用本文： | 张新昌,王戎兴.碲镉汞表面纯化膜界面电学特性研究[J].光学精密工程,1996,4(5):55-60. |
| 作者姓名： | 张新昌 王戎兴 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 摘 要： | 利用ＭＩＳ结构，在国内首次研究了新型热蒸发ＣｄＴｅ／ＺｎＳ复合钝化膜与碲镉汞之间的界面电学特性。发现ＧｄＴｅ／ＺｎＳ双层膜在适当工艺条件下，固定电荷密度为－４×１０＾１０ｃｍ＾－２，慢态密度为５．１×１０＾１０ｃｍ＾－２，快态密度为２．７×１０＾１１ｃｍ＾－２ｅＶ＾－１。以上参数优于目前光伏器件采用的单层ＺｎＳ钝化膜，说明ＣｄＴｅ／ＺｎＳ复合膜是光伏器件的优良钝化膜。同时也研究了其它两种钝化膜，单 |
| 关 键 词： | HgCdTe 钝化膜 界面电学特性 红外材料 |
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