| 隧道带间级联双波长可见光半导体激光器制备 |
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| 引用本文： | 李建军,沈光地,郭伟玲,廉鹏,韩军,邓军,邹德恕.隧道带间级联双波长可见光半导体激光器制备[J].光电子．激光,2003,14(9):901-904. |
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| 作者姓名： | 李建军 沈光地 郭伟玲 廉鹏 韩军 邓军 邹德恕 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,北京光电子技术实验室,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60077004),国家"973"资助项目(G20000683 02),北京市自然科学基金资助项目(4002003) |
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| 摘 要： | 利用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)一次外延生长了含有2个有源区的隧道带间级联双波长可见光半导体激光器(LD)材料。其隧道结为GaAs。2个有源区分别为AlGaAs单量子阱和GaInP多量子阱。SEM照片表明,材料生长质量良好。用生长的材料制备了双沟深腐蚀结构F P腔激光器。器件的阈值电流为177mA,未镀膜时的单面斜率效率为1.3W/A,远场为单瓣,垂直和水平方向的发散角分别为8°和34°。在输出光功率为100mW时,2个激射波长分别为699nm和795nm,与PL测试结果相一致。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 隧道带间级联 双波长 隧道结 金属有机物化学汽相淀积 |
| 文章编号： | 1005-0086(2003)09-0901-04 |
| 修稿时间： | 2003年1月27日 |
Fabrication of a Dual-wavelength Visible Light Laser Diode Cascaded by Tunnel Junction |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor laser diode(LD) multi-wavelength metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) tunnel junction |
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