Ge＿xSi＿（1－x）／Si应变层超晶格的横截面电镜样品中的弹性驰豫

迭加有样品阴影像的大角度会聚束电子衍射花样可以用来研究样品中局部应变。在本文中作者利用大角度会聚柬电子衍射技术测量并模拟计算了ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变层超品格的横截面电镜样品中的弹性驰豫和样品厚度的关系。