| a-SiN_xO_y∶Er~(3+)薄膜的光致发光 |
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| 引用本文： | 邓文渊,张家骅,马少杰,孔祥贵,宋宏伟,许武. a-SiN_xO_y∶Er~(3+)薄膜的光致发光[J]. 半导体学报, 2003, 24(4): 381-386 |
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| 作者姓名： | 邓文渊 张家骅 马少杰 孔祥贵 宋宏伟 许武 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院激发态物理开放实验室,长春,130021 |
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| 基金项目： | 吉林省自然科学基金;20010581; |
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| 摘 要： | 采用射频 (RF)反应共溅射法制备了 a- Si Ox Ny∶ Er3+薄膜 ,在不同温度下进行退火处理 ,并测量了样品的可见及红外发光 PL谱 ,观察到 Er3+ 在 5 5 0 nm、5 2 5 nm和 15 32 nm的发光以及基质在 6 2 0 nm和 72 0 nm的发光 .发现退火能明显增强 Er3+ 的发光且对可见和红外发光的影响不同 ,讨论了退火明显增强 Er3+ 发光及退火对可见和红外发光影响不同的机理 .测量了 Er3+ 可见发光的变温 PL谱 ,讨论了退火对 Er3+ 不同能级辐射跃迁几率的影响 .根据基质发光随退火温度的变化 ,分析了基质发光峰的起源
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| 关 键 词： | Er 氮氧化硅 光致发光 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)04-0381-06 |
| 修稿时间： | 2002-06-01 |
Phtoluminenscence from Er3+ Ions in a-SiNyOx Films |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Er silicon oxynitride photoluminenscence |
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