InSb的Zn扩散及其在红外探测器阵列中的应用

在355～455℃的密封安瓿中,对利用Zn和Sb元素在n-型InSb中扩散Zn进行了系统的研究。把数据整理成扩散源中Sb与Zn的克分子比N_(Sb)/N_(Zn)的函数,就能清楚地了解扩散特性。如果Zn源足够,当N_(Sb)/N_(Zn)≤0.5或N_(Sb)/N_(Zn)≥5时,扩散深度是一个常数,而与装入安瓿的Zn或/和Sb源的总量无关。当N_(Sb)/N_(Zn)≥5,可以重复地获得高度平整的扩散前沿及高质量的p-型层。但是,当N_(Sb)/N_(Zn)≤0.5时,就只能得到一个很粗糙的扩散前沿和有许多损伤的p-型层。用上述结果,制备了3～5μm的InSb8元光伏探测器列阵。