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| 离子辐照对多孔硅性质的影响 | |
| 作者姓名： | 杨海强 阎锋 官浩 鲍希茂 |
| 作者单位： | 南京大学物理系和固体微结构实验室 |
| 摘 要： | 本文首次报道离子注入对一系列多孔硅性质的影响．离子辐照引入多孔硅成孔中心，影响多孔硅的形成．随辐照剂量增加，ＰＬ谱峰波长红移，强度下降，半高宽变窄，使制备多孔硅发光图形成为可能． |
| 关 键 词： | 多孔硅 性能 离子辐照 离子注入 |
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