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以单纵模振荡的InGaAsP激光二极管的时间相干特性
引用本文:Yoshiaki Yamabayashi,顾维新.以单纵模振荡的InGaAsP激光二极管的时间相干特性[J].激光与红外,1985(4).
作者姓名:Yoshiaki Yamabayashi  顾维新
摘    要:激光二极管的时间相干性在相干光学传递技术和单模光纤传感器技术中都占有很重要的地位。然而以往着重研究的都是采用GaAlAs激光二极管的多模振荡。正如其他文献中提到的那样,多模运转中观察到的相干性,不仅反映了激光二极管固有的线宽而且反映了激光二极管材料对纵模分布的影响。为了研究激光二极管作为相干光源的可能性,必须弄清激光二极管单模振荡的相干特性,即激光二极管固有的相干性。此外,InGaAsP激光二极管发射的波长为1.30μm和1.55μm,由于二氧化硅光导纤维对这两种波长具有较低的损耗与最小的色散,所以,InGaAsP激光二极管是一种比GaAlAs激光二极管更好的相干光源。

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