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| 大跨导n型Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管 | |
| 摘 要： | 报道了第一支0.25μm栅长n型Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管的制作和器件特性结果。器件用于超高真空/化学汽相淀积(UHV/CVD)制作的器件,在300K(77K)下,应变Si沟道的迁移率和电子薄层载流子的深度为1500(9500)cm~2/V·s和2.5×10~(12)(1.5×10~(10))cm~(-2)。器件电流和跨导分别为325mA/mm和600mS/mm。这些值远优于Si MESFET,它们可与所获得的GaAs/Al-GaAs调制掺杂晶体管的结果相媲美。 |
High Transconductance n-Type Si/SiGe Modulation-Doped Field-Effect Transistors |
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