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| 第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势 | |
| 引用本文： | 杨金,巩小亮,何永平.第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势[J].电子工业专用设备,2022(3):8-13. |
| 作者姓名： | 杨金 巩小亮 何永平 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 摘 要： | 第三代半导体材料SiC具备熔点高、硬度大、稳定性好等特点，其制备工艺需要开发一些独特的工艺装备，主要涉及SiC单晶生长、衬底制备、外延生长和离子注入机及高温氧化炉等芯片制程关键装备。根据Si C技术及产业的发展特点，分析了当前SiC工艺设备特点及应用现状，展望了设备的未来发展趋势。 |
| 关 键 词： | 碳化硅 单晶生长 外延 芯片制程 |