高电流增益横向PNP晶体管的设计

本篇论文从横向PNP二维近似模型出发,分析和研究影响电流增益h_(FE)的主要因素.在此基础上,设计一块芯片上有几种不同几何形状和尺寸的横向PNP管图形.采用常规集成电路工艺制出BVceo=40V,BVebo=100V,Veb=0.5V(Ic=100μA),h_(FE)=100的横向PNP晶体管.测量结果表明,理论上的估计与实验结果一致.我们发现:设计创造h_(FE)=100并不十分难.关键是如何减少纵向注入和基区复合以及如何提高集电极电流Ic成份.我们认为:设计合理的埋层间隙;合理的横向基区厚度及纵向基区厚度;减少发射区引线孔的几何尺寸是提高h_(FE)的重要途径.本文还介绍几种减少纵向注入的结构和减少复合的手段.