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| 铜布线和SOI | |
| 引用本文： | 春晓.铜布线和SOI[J].电子产品世界,1999(5). |
| 作者姓名： | 春晓 |
| 摘 要： | 回顾ＬＳＩ的发展历史，Ａｌ布线取得了巨大的成功。铜（Ｃｕ）布线与之相比，最大的优势是电阻更低，抗电迁移性强，因此随着器件频率的提高尤其是高速微处理器的出现，对铜布线实用化的期待日益升高。但是，铜布线的引入不是简单地将互连材料由铝换成铜。由于铜与铝的物理、化学、机械和电特性等的差异，引入铜布线就意味着不得不更新以铝布线为基础建立的一大批成熟技术，并且开发一系列铜布线的突破性技术如ＣＭＰ（化学机械抛光）技术、以铜的ＣＶＤ为基础的嵌入式（Ｄａｍａｓｃｅｎｅ）工艺等和解决铜的抗氧化性差、层间介质平坦化等… |
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