LPE G_(al-x)Al_xA_s/G_aA_s界面缺陷观察 |
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作者姓名: | 梁骏吾 褚一鸣 涂相征 沈厚运 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 武汉大学物理系 |
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摘 要: | 本文用1000kv高压透射电子显微镜,研究了LPE Gal-xAlxAs/GaAs界面缺陷,观察到异质结Gal-xAexAs/GaAs界面附近存在的位错网络的平面和剖面分布形貌,分析了位错网络的分布特征,用高阶衍射明场和弱束暗场技术,观察到界面位错网络和Gal-xAlxAs/GaAs界面的位置关系。
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