| 电子束蒸发法制备TiO2薄膜的折射率研究 |
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| 引用本文： | 李云,王六定. 电子束蒸发法制备TiO2薄膜的折射率研究[J]. 真空, 2008, 45(5) |
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| 作者姓名： | 李云 王六定 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，航空基础科学基金 |
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| 摘 要： | 用电子束蒸发法制备TiO2薄膜,并对其进行300℃、400℃、850℃热处理和掺杂.详细研究了工艺参数、热处理和掺杂对TiO2薄膜折射率的影响.实验结果表明:镀制高折射率的氧化钛薄膜最佳工艺参数为基片温度200℃、真空度2×10-2 Pa、沉积速率0.2 nm/s;随着热处理温度的升高,薄膜折射率也逐渐增大;适量掺杂CeO2(CeO2:Ti0质量比1.7:12)会提高薄膜的折射率,过量掺杂CeO2反而会降低折射率.
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| 关 键 词： | 电子束蒸发 TiO2薄膜 折射率 |
Study on refractive index of TiO2 film prepared by electron beam evaporation |
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| LI Yun,WANG Liu-ding. Study on refractive index of TiO2 film prepared by electron beam evaporation[J]. Vacuum(China), 2008, 45(5) |
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| Authors: | LI Yun WANG Liu-ding |
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