磷化铟晶体的高分辨电子显微术研究

本文报导了半导体InP材料〔001〕带轴的高分辨结构象主要实验结果。采用400kV电子束,欠焦量为大约650A,同时In及P的结构象的最佳厚度约为260A。当厚度减缩到150A左右,只剩下P的原子象。当厚度增加到370A,只剩有In的原子象。实验得到的高分辨结构象和计算机模拟象是基本一致。当试样发生弯曲时,入射束与〔001〕带轴之间的夹角是0.18度。高分辨结构象代表In原子和P原子的亮点联接在一起。计算机模拟象证实了这一实验结果。