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| 双平面掺杂AlGaAs／InGaAs功率PHEMT | |
| 引用本文： | 陈效建,刘军.双平面掺杂AlGaAs／InGaAs功率PHEMT[J].固体电子学研究与进展,1994,14(3):289-290. |
| 作者姓名： | 陈效建 刘军 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ陈效建，刘军，李拂晓，郑雪帆，华培忠（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｄｏｕｂｌｅ－ｐｌａｎａｒ－ｄｏｐｅｄＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰｏｗｅｒＰＨＥＭＴ￥ＣｈｅｎＸｉａｏｊｉａｎ；ＬｉｕＪｕｎ；Ｌ... |
| 关 键 词： | 异质结器件 掺杂 镓铅砷 PHEMT |
Double-planar-doped AlGaAs/InGaAs Power PHEMT |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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