用低压MOCVD法外延生长高纯GaAs

在比通常低压MOCVD更低的工作压力下重复得到了高纯度CaAs外延层。在17乇生长的外延层中得到了77K下10500cm~2/VS的高迁移率。低温PL,光谱呈现出了一个细的激子结构。在8乇生长条件下生长的外延层其导电性随着[AsH_3]/[TMG]比率的增加而由p型变为n型。PL光谱表明,碳是主要的受主,碳浓度和细激子结构强烈地取决于[AsH_3]/[TMG]的比率。