| Cu2SnS3薄膜的制备及性能研究 |
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| 引用本文： | 杜金会,于振瑞,张加友,王妍妍,李正群. Cu2SnS3薄膜的制备及性能研究[J]. 光电子技术, 2004, 24(3): 151-155,158 |
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| 作者姓名： | 杜金会 于振瑞 张加友 王妍妍 李正群 |
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| 作者单位： | 军事交通学院基础部,天津,300161;军事交通学院基础部,天津,300161;军事交通学院基础部,天津,300161;军事交通学院基础部,天津,300161;军事交通学院基础部,天津,300161 |
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| 摘 要： | 采用LBL(1aYer-by-layer)法制备了Cu2SnS3薄膜。即首先采用电化学方法在SnO2衬底上制备SnS薄膜，然后又在其上用化学沉积法制备CuS薄膜，最后进行退火处理得到厚度约为960nm的CuzSnS3薄膜。探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构和光学特性。制备的薄膜为多晶(Cu2SnS3)72z(三斜或假单斜晶系)结构，其直接光学带隙约为1．05eV。
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| 关 键 词： | Cu2SnS3薄膜 LBL(layer-by-layer)法 结构特性 光学特性 |
Study on the Preparation and Their Properties of Cu2SnS3 Thin Films |
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