| 一种新型全耗尽双栅MOSFET |
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| 引用本文： | 张国和,邵志标,韩彬,刘德瑞. 一种新型全耗尽双栅MOSFET[J]. 半导体学报, 2007, 28(9): 1359-1363 |
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| 作者姓名： | 张国和 邵志标 韩彬 刘德瑞 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电子科学与技术系,西安,710049;西安交通大学电子科学与技术系,西安,710049;西安交通大学电子科学与技术系,西安,710049;西安交通大学电子科学与技术系,西安,710049 |
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| 摘 要： | 提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem-4工艺模拟和Medici器件模拟验证表明,与普通双栅全耗尽SOI相比,该器件获得了更好的开态/关态电流比和亚阈值斜率.在0.18μm工艺下,开态/关态电流比约为1010,亚阈值斜率接近60mV/dec.
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| 关 键 词： | 异质栅 关态电流 亚阈值斜率 SOI场效应晶体管 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）09-1359-05 |
| 收稿时间： | 2007-01-31 |
| 修稿时间： | 2007-01-31 |
A Novel Fully-Depleted Dual-Gate MOSFET |
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| Zhang Guohe,Shao Zhibiao,Han Bin and Liu Derui. A Novel Fully-Depleted Dual-Gate MOSFET[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(9): 1359-1363 |
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| Authors: | Zhang Guohe Shao Zhibiao Han Bin Liu Derui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hetero-material gate on/off current ratio sub-threshold slope SOI FET |
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