减少加固的功率MOS FET中辐照引起击穿的中子辐照方法

本文讨论了一种专门研制的抗辐照功率MOSFET中的瞬态γ诱发“二次击穿”问题,并给出了用中子辐照方法控制少数载流子寿命的实验结果。这种方法在降低“二次击穿”的敏感度方面只获得了部分成功。