| 磁控溅射法制备VO2薄膜及电阻突变测试 |
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| 引用本文： | 王安,许卫东,张豹山,杨骏堂,崔光振. 磁控溅射法制备VO2薄膜及电阻突变测试[J]. 光电技术应用, 2015, 0(3) |
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| 作者姓名： | 王安 许卫东 张豹山 杨骏堂 崔光振 |
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| 作者单位： | 1. 解放军理工大学,南京,210007
2. 南京大学,南京,210093 |
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| 摘 要： | 基于常温反应磁控溅射和热处理工艺，在硅片（100）衬底上，制备出了具有相变特性的二氧化钒（VO2）薄膜，采用XRD、SEM对薄膜的物相结构、表面形貌进行了表征。热处理后，薄膜晶粒开始生长，在2θ=27.9°、37.1°、42.3°分别出现了VO2的（011）、（200）、（210）衍射峰，薄膜形貌均匀致密。对薄膜的方块电阻进行了变温测试，相变前后薄膜电阻突变量达三个数量级，具有很好的半导体-金属相变特性。文中还对VO2薄膜在伪装领域的应用前景进行了分析。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 二氧化钒薄膜 退火 电阻突变 |
Magnetron Sputtering Method for VO2 Thin Film and Resistance Mutation Test |
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| WANG An,XU Wei-dong,ZHANG Bao-shan,YANG Jun-tang,CUI Guang-zhen. Magnetron Sputtering Method for VO2 Thin Film and Resistance Mutation Test[J]. Electro-Optic Technology Application, 2015, 0(3) |
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| Authors: | WANG An XU Wei-dong ZHANG Bao-shan YANG Jun-tang CUI Guang-zhen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetron sputtering Vanadium dioxide (VO2) films anneal resistance mutation |
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